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参数目录42419
> BSH111,215 MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23
型号:
BSH111,215
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
BSH111,215 PDF
产品目录绘图
SOT-23 MOSFET
标准包装
1
系列
TrenchMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
335mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
4 欧姆 @ 500mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
1nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds
40pF @ 10V
功率 - 最大
830mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装
TO-236AB
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1507 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
568-1657-1
查看BSH111,215代理商
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